Sk hynix пообещала создать 600-слойные чипы флеш-памяти nand— сейчас они насчитывают до 176 слоёв

Чипы флеш-памяти типа NAND получат более 600 слоёв по мере развития технологий памяти об этом заявил исполнительный директор SK Hynix Ли Сок Хи (Lee Seok-hee) на международной конференции International Reliability Physics Symposium (IRPS), организованной Институтом инженеров электротехники и электроники (IEEE).

Yonhap

Господин Ли сказал: Как в области DRAM, так и в сфере NAND компания работает над улучшением не только материалов полупроводников памяти, но и конструктивных структур и надёжности, чтобы повысить технологическую отдачу. Если нынешние усилия окажутся успешными, мы сможем масштабировать чипы DRAM ниже 10-нм техпроцесса и укладывать NAND более чем в 600 слоёв.

Стоит отметить, что самая совершенная на сегодняшний день флэш-память NAND имеет лишь 176 слоёв она разработана американской компанией Micron. SK Hynix стала вторым разработчиком 176-слойного чипа в прошлом году и планирует начать массовое производство таких решений в этом году, раньше, чем Samsung Electronics.

Samsung Electronics

Комментарии Ли по поводу разработки 600-слойного чипа показывают желание компании оставаться в лидерах мирового производства чипов NAND и уверенность в достижимости таких показателей.

Производитель в настоящее время улучшает структуры своей технологии травления HARC, чтобы иметь возможность укладывать больше слоёв при производстве NAND. По словам руководителя, компания также применила технологию атомно-слоевого осаждения для сохранения диэлектрических характеристик ячейки. А для решения проблемы напряжения плёнки, компания пытается оптимизировать оксидный и нитридный материалы ячейки.

Надёжность также является ключевым фактором для чипов памяти с расширением их сферы применения. До сих пор для удовлетворения потребностей различных задач и клиентов требовались высокая плотность, высокая скорость и низкая мощность, сказал он. Но теперь, помимо этих требований, растёт запрос на высокие показатели надёжности для растущих рынков умных информационных и коммуникационных технологий вроде самоходных автомобилей и интеллектуального здравоохранения, где память будет, как ожидается, работать в течение длительного периода времени в экстремальных условиях.

SK hynix

Чтобы преодолеть ограничения производительности памяти в ближайшие 10 лет, производители начнут объединять память DRAM в одной упаковке или на одном кристалле с другими системными компонентами вроде центрального процессора. Среди преимуществ SSD по сравнению с HDD он назвал низкое энергопотребление NAND, позволяющее сократить выбросы углекислого газа на 93%. Если жёсткие диски в центрах обработки данных по всему миру будут заменены твердотельными накопителями, то к 2030 году мир сможет сократить выбросы углекислого газа на 41 миллион тонн, сказал руководитель. SK Hynix продолжит внедрять решения, которые помогают снизить потребление энергии и при этом предлагают лучшие вычислительные характеристики.