Tsmc будет активнее развивать производство силовых полупроводников из нитрида галлия

Дальнейшая электрификация всего на свете будет сопровождаться ростом эффективности преобразователей, иначе потери сведут на нет всю выгоду от перехода. Ведущую роль в этом процессе будут играть так называемые широкозонные полупроводники, в список которых входят карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Компания TSMC уже включилась в производство решений на этих материалах и нацелилась на пять областей, где ожидает значительный рост спроса.

Источник изображения: Shutterstock

Как сообщают тайваньские источники, TSMC видит возможности для роста обозначенных полупроводников в ближайшие десять лет с акцентом на пять секторов: быстрые зарядные устройства для электромобилей, центры обработки данных, фотоэлектрические инверторы, инверторы постоянного тока 48 В и бортовые зарядные устройства электромобилей.

Дополнительным стимулом углубиться в эту сферу для тайваньского производителя становятся растущие усилия китайских компаний догнать Запад в производстве широкозонных полупроводников. TSMC не собирается упускать инициативу, и охотно идёт на сотрудничество с ветеранами данной отрасли. В частности, в прошлом году TSMC заключила партнёрское соглашение с европейской компанией STMicroelectronics и будет выпускать для неё как дискретные, так и интегральные силовые решения на нитриде галлия.

В то же время TSMC развивает собственные технологии производства. Занимается она этим с начала 2000-х и уже достигла определённых успехов. В 2014 году TSMC начала производство GaN-компонентов на своем заводе по производству 150-мм пластин, а в 2015 году она начала выпускать GaN-компоненты для низковольтных и высоковольтных применений. В 2017 году компания приступила к серийному производству компонентов GaN-на-Si. Сотрудничество с STMicroelectronics в 2020 году ещё сильнее укрепило позиции TSMC на новом для неё рынке. Очевидно, впереди новые успехи, а растущий спрос на эффективную силовую электронику не даст ей сойти с выбранного пути.