Выпущен первый кремний с памятью reram разработки weebit nano — это позволит оценить необычную новинку


  • Источник: 3dnews.ru 
  • Дата: Дек 29, 2021 
  • Просмотры: 198

Израильская компания Weebit Nano один из немногих разработчиков резистивной памяти, приблизившийся к этапу производства сообщила о выпуске первого кремния с блоками ReRAM для качественной оценки клиентами. Фактически речь идёт о выпуске контроллеров-стендов со встроенными блоками ReRAM, благодаря которым можно разрабатывать программные продукты и всесторонне оценить преимущества энергонезависимой резистивной памяти.

vypushchen-pervyi-kremnii-s-pamiatiu-reram-razrabotki-weebit-nano--eto-pozvolit-otcenit-neobychnuiu-novinku_1.jpg

Источник изображения: Weebit Nano

Производством контроллеров с 128-Кбит блоками ReRAM Weebit Nano по-прежнему занимается французский институт CEA-Leti. Технология производства всё ещё находится в стадии передачи американскому заводу компании SkyWater Technology, с которым заключён контракт на будущее производство контроллеров с массивами ReRAM. Эта память чрезвычайно устойчива к радиационным и температурным воздействиям, что вкупе со значительно увеличенным числом циклов перезаписи делает её уникальным предложением для военной и аэрокосмической электроники.

Компания не уточняет на каких пластинах и с помощью какого техпроцесса выпущены контроллеры со встроенной ReRAM. В сентябре сообщалось, что CEA-Leti адаптировала производство блоков резистивной памяти компании Weebit Nano к пластинам диаметром 300 мм с помощью 28-нм техпроцесса. Впрочем, американский завод SkyWater Technology располагает оборудованием лишь для выпуска 130-нм контроллеров и не факт, что даже на 200-мм подложках, а на 150-мм или даже меньшего диаметра. Но память ReRAM, как отмечено выше, все любят не за это, а за повышенную надёжность и высочайшую устойчивость к износу без потери скорости доступа.

vypushchen-pervyi-kremnii-s-pamiatiu-reram-razrabotki-weebit-nano--eto-pozvolit-otcenit-neobychnuiu-novinku_2.jpg

Источник изображения: Weebit Nano

Напомним, запись в ячейку памяти ReRAM осуществляется с помощью обратимой диффузии ионов кислорода. Ионы образуют токопроводящие нити (цепочки из атомов) между двумя электродами и создают определённое сопротивление между ними, что эквивалентно записи данных в ячейку. Такая ячейка перезаписывается без промежуточной операции стирания, а это положительно влияет на скорость работы памяти. Также ионные нити сохраняются без поддержки питания память ReRAM энергонезависимая.