В великобритании разработали свою reram и адаптируют её к производству

Как подсказывает сайт Blocks Files, британская компания Intrinsic Semiconductor Technology разработала фирменную технологию производства встраиваемой памяти ReRAM. Для адаптации к производству на 300-мм кремниевых подложках технология передана бельгийскому центру Imec. Утверждается, что техпроцесс выпуска массивов ReRAM доведён до 50-нм норм, а память обещает сочетание высокой скорости и энергонезависимости.

Кадр из презентации разработчика со структурой и принципом работы ячейки ReRAM. Источник изображения: Intrinsic Semiconductor Technology

Компания Intrinsic выросла из работ двух учёных Лондонского университетского колледжа (UCL): профессора Энтони Кеньона (Anthony Kenyon) и доктора Аднана Мехоника (Adnan Mehonic). В 2017 году оба ушли из науки и основали Intrinsic. Впрочем, корни полностью не были оторваны. В марте 2021 года компания получила деньги на продолжение работ от инвестиционного подразделения колледжа и IP Group: всего 1,35 млн фунтов стерлингов ($1,8 млн). Это позволило заключить договор с центром Imec для адаптации технологии производства массивов ReRAM на 300-мм подложках в рамках КМОП-процесса.

Память Intrinsic ReRAM имеет в своей основе широко распространённую технологию обратимого насыщения ячейки памяти ионами кислорода. Подобную память, например, доводит до серийного производства израильская компания Weebit Nano вместе с французским институтом CEA/Leti. И если Weebit Nano добилась выпуска массивов ReRAM на 300-мм пластинах с использованием 28-нм техпроцесса, то Imec с британцами движутся пока к 50-нм технологическим нормам и, судя по всему, ещё не имеют работоспособных образцов. Во всяком случае, Intrinsic не может предъявить каких-либо численных характеристик прототипов фирменной памяти ReRAM.

Тем не менее, можно быть уверенным, что Imec и Intrinsic доведут технологию производства ReRAM до ума. Индустрии ИИ, интернета-вещей и будущей электронике не помешает ещё один вариант энергонезависимой памяти, скорость работы которой будет на уровне оперативной памяти SRAM.