- Мар 22, 2022
В сша скоро запустят серийное производство чипов с памятью reram
- Источник:
- Дата: Сен 10, 2021
- Просмотры: 500
На горизонте снова возник потенциальный конкурент памяти Intel 3D XPoint и убийца флеш-памяти NAND. Это память ReRAM в исполнении израильской компании Weebit Nano. Попытки Weebit зайти на рынок со стороны Южной Кореи и Китая не увенчались видимым успехом, и теперь заход обозначен со стороны США. Производством продуктов с ReRAM на борту должна заняться американская компания SkyWater с тесными связями в ВПК США.
Источник изображения: Weebit Nano
Резистивная память (ReRAM) компании Weebit Nano запоминает состояния в величине сопротивления рабочего слоя ячейки. Это обратимое и энергонезависимое состояние. В процессе снижения сопротивления в слой вводятся ионы кислорода, которые образуют в нём токопроводящие нити от одного электрода к другому. Чем больше нитей и чем они толще, тем ниже сопротивление и наоборот. Запись такой ячейки происходит быстрее записи ячейки NAND и не требует предварительного стирания, что значительно ускоряет работу памяти и снижает энергетические затраты.
Компания Weebit обещала начать серийное производство памяти ReRAM до конца 2020 года в партнёрстве с неназванным южнокорейским производителем и заключила договор с китайцами на выпуск продуктов с ReRAM. Судя по всему, не вышло ни с первым, ни со вторым. Новый договор предполагает сотрудничество с молодой компанией SkyWater из США. Впрочем, SkyWater вышла родом из небезызвестной американской компании Cypress Semiconductor. SkyWater была выделена из Cypress в 2017 году и получила небольшой завод бывшей компании Control Data Corporation из Миннесоты, которую Cypress купила в 1991 году.
Источник изображения: Weebit Nano
Компания SkyWater отметилась проектами, финансируемыми DARPA и другими военными ведомствами США. Работа с Weebit также укладывается в эту схему. Чипы памяти Weebit устойчивы к радиации и высоким рабочим температурам, что интересует военных. Выпускать ReRAM в виде встраиваемых в чипы блоков памяти SkyWater будет с использованием 130-нм техпроцесса, что для фабрики из 80-х очень даже хорошо. Но для убийцы NAND этого явно недостаточно, но надо же с чего-то начинать.
