В японии разработали флеш-память, которая способна хранить 7 бит в ячейке


  • Источник: 3dnews.ru 
  • Дата: Дек 15, 2021 
  • Просмотры: 155

Японская компания Floadia разработала флеш-память, которая позволяет записывать 7 бит данных в одну ячейку, а также хранить их 10 лет при температуре до 150°C. Для сравнения, современные накопители на основе флеш-памяти предполагают запись не более 4 бит в ячейку.

v-iaponii-razrabotali-fleshpamiat-kotoraia-sposobna-khranit-7-bit-v-iacheike_1.jpg

Источник изображения: floadia.com

В основу разработки легла технология SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon), созданная для микроконтроллеров, в которую были внесены некоторые изменения. Компания изменила структуру удерживающих заряд слоёв, использовав плёнку Ono, кроме того, изменилась структура ячейки и контроллер накопителя. Как уточнили разработчики, без внесения всех этих изменений 7 бит в ячейке удерживались не более 100 секунд.

Существующая на рынке технология флеш-памяти 3D QLC NAND предполагает запись 4 бит на ячейку и запас прочности примерно на 1000 циклов перезаписи при нормальной температуре. В первоначальном исполнении технология Floadia SONOS предлагает более высокое число циклов перезаписи (до 100000 раз) и возможность хранить данные более длительное время (до 10 лет). Но есть нюанс. Она предназначается для микроконтроллеров, которые не требуют больших объёмов данных и производятся на основе устаревших технологических процессоров (55350 нм). В результате плотность памяти накопителя уступает традиционным современным технологиям, скорость работы модулей тоже невелика.

Тем не менее, новая технология Floadia сможет использоваться в решениях, предполагающим вычисления в памяти компания намеревается использовать изобретение в ускорителях для систем искусственного интеллекта, в которых она обеспечит более высокие показатели производительности в сравнении с актуальными решениями. Floadia традиционно лицензирует свои технологии заинтересованным производителям. Пока неясно, сможет ли компания доработать свою технологию для использования в традиционных чипах памяти 3D NAND.