Технология adaptive boost обеспечит автоматический разгон intel rocket lake выше 5 ггц сразу по всем ядрам


  • Источник: 3dnews.ru 
  • Дата: Мар 22, 2021 
  • Просмотры: 596

Представленные недавно процессоры Intel Core одиннадцатого поколения предложат новую функцию, позволяющую поднять частоты всех ядер при соблюдении определённых требований к электропитанию и условиям охлаждения. Прогресса на этом направлении компания будет добиваться в сотрудничестве с производителями материнских плат.

tekhnologiia-adaptive-boost-obespechit-avtomaticheskii-razgon-intel-rocket-lake-vyshe-5-ggtc-srazu-po-vsem-iadram_1.jpg

Источник изображения: Intel, Reddit

Технологии динамического повышения частот, предлагаемые процессорами Intel, планомерно эволюционируют. Как правило, на максимальной заявленной для конкретной модели процессора частоте активность могут сохранять одно или два ядра. При определённых типах вычислительной нагрузки это позволяет добиться заметного прироста быстродействия. Если же количество задействованных ядер увеличивается, то их предельная частота снижается.

С выходом процессоров Rocket Lake-S, если верить слайду из презентации Intel, ставшему достоянием общественности на страницах ресурса Reddit, ситуация с динамическим повышением частоты при активности нескольких ядер должна улучшиться. Функция Adaptive Boost Technology будет оценивать условия питания и охлаждения процессора, по возможности повышая частоты сохраняющих активность ядер.Даже при активности всех восьми ядер технология ABT поможет добиться значительно более высоких рабочих частот, чем в случае с процессорами предыдущего поколения.В теории ABT может обеспечить работу всех восьми ядер процессора на частоте вплоть до 5,1 ГГц. При идеальных условиях.

Отдельно подчёркивается, что частоты процессора при этом не будут выходить за определённые рамки, а сам режим эксплуатации не будет считаться разгоном и нарушать условия гарантийного соглашения. Однако применена новая технология только в процессорах Intel с разблокированным множителем, то есть в моделях с суффиксамиК иKF в названиях.