Технология 3d dram поможет резко нарастить объём чипов оперативной памяти, но появится она не скоро

К сегодняшнему дню ёмкость чипов оперативной памяти достигла впечатляющих значений, но для аналитики и задач ИИпамяти нужно всё больше и больше. Обычная планарная компоновка ячеек DRAM не может спасти ситуацию техпроцесс не успевает за ростом требований к ёмкости. Выходом может стать вертикальное расположение ячеек DRAM подобно 3D NAND.

Слева обычные планарные массивы DRAM, а справа вертикальное расположение ячеек (длинные серые трубки это конденсаторы). Источник изображения: Monolithic3D

Утверждается, что память с перевёрнутыми ячейками DRAM (flipping cells) разрабатывают отдельные производители оперативной памяти. Правда, никто из них не ответил на вопрос источника о работе над такой технологией. В то же время широкое распространение 3D NAND позволяет надеяться, что производители достаточно глубоко погрузились в технологию многослойного изготовления микросхем памяти, чтобы перенести опыт на выпуск многослойной монолитной DRAM.

Безусловно, выпуск многослойной NAND и многослойной DRAM это разные вещи. Ячейка оперативной памяти хранит данные (заряд) в относительно большом конденсаторе, которым управляет один транзистор. Чем тоньше техпроцесс, тем длиннее конденсатор. Если ячейки DRAM положить на бок (расположить вертикально), то конденсаторы уйдут далеко в сторону. Выигрыш от такого расположения будет только в случае изготовления множества слоёв.

Сейчас производители DRAM всё ещё продолжают увеличивать плотность размещения ячеек памяти за счёт уменьшения технологических норм производства. Планарная технология продержится ещё какое-то время, в том числе за счёт перехода на сканеры EUV, но этот ресурс будет быстро исчерпан, а потребность в памяти нет. Поэтому разумно ожидать роста объёмов DRAM за счёт вертикального расположения ячеек.