Sk hynix показала стеки памяти hbm3 объёмом 24 гбайт со скоростью до 819 гбайтс

На выставке OCP Summit 2021 южнокорейская компания SK hynix продемонстрировала стеки памяти HBM3. Производитель лишь недавно подтвердилразработку модулей памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с на один стек. Эти микросхемы в обозримом будущем планируется использовать вместе с высокопроизводительными GPU.

Источник изображения: ServeTheHome

Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC ещё не принял окончательные спецификации памяти HBM3. SK hynix самостоятельно увеличила у неё пропускную способность с изначально заявленных 5,2 Гбит/с до 6,4 Гбит/с на контакт. Однако на данный момент неизвестно, насколько приближены характеристики чипов памяти от южнокорейского производителя к окончательным спецификациям стандарта, которые будут использоваться в массовом производстве графических ускорителей нового поколения.

Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

В составе модулей памяти HBM3 DRAM от SK hynix могут содержаться до 12 кристаллов памяти, уложенных в вертикальный стек с контроллером в самом низу сборки и объединённые 1024-битным интерфейсом. Хотя сам контроллер не изменился ещё со времён стандарта памяти HBM2, увеличенное количество кристаллов памяти в составе одного модуля и повышенная частота работы позволяют добиться скорости передачи данных по интерфейсу в 819 Гбайт/с, что на 78 % больше по сравнению с памятью HBM2E.

Теоретический продукт на основе 12 модулей памяти HBM3 от SK hynix сможет предложить 288 Гбайт общего объёма памяти с максимальной пропускной способностью до 9,8 Тбайт/с.