Samsung расширит контрактное производство чипов с использованием зрелой литографии

Принято считать, что конкуренция между TSMC и Samsung Electronics на рынке услуг по контрактному производству полупроводниковых компонентов сводилась к гонке в сфере передовых техпроцессов, но пандемия поставила участников рынка в новые условия. Корейский гигант теперь не возражает против расширения мощностей, использующих зрелую литографию.

Источник изображения: Samsung Electronics

О смене курса Samsung Electronics сообщает издание Business Korea со ссылкой на доклад представителей компании, посвящённый подведению итогов 2021 года. В документе отмечается, что в средне- и долгосрочной перспективе компания намеревается расширить производственные мощности на контрактном направлении, использующие зрелую литографию. Больше средств на эти нужды будет выделяться с текущего года. В прошлом году Samsung потратила на строительство и модернизацию предприятий рекордные $39 млрд, увеличив профильные расходы на четверть по сравнению с 2020 годом.

Samsung также будет предлагать новые переходные ступени зрелых техпроцессов, которые привлекут клиентов своими оптимизациями. В октябре прошлого года, например, компания предложила 17-нм техпроцесс с FinFET-структурой транзисторов, который можно использовать для изготовления датчиков изображения и драйверов дисплеев. В случае с TSMC техпроцессы от 16 нм и толще по итогам 2021 года формировали половину выручки компании, для Samsung Electronics наблюдался перекос в сторону передовой литографии. Так, корейский гигант контролировал 40 % рынка услуг по изготовлению чипов с использованием 10-нм и более тонких техпроцессов, но значительно уступал конкурентам на направлении зрелой литографии.

Samsung Electronics не теряет надежды привлечь к своим услугам до 300 клиентов к 2026 году, попутно утроив объёмы контрактного производства чипов по сравнению с 2017 годом. В сфере передовой литографии компания тоже старается не отставать от TSMC и Intel, массовое производство 3-нм продукции с GAA-структурой транзисторов она начнёт в текущем полугодии, а к 2025 году будет освоено массовое производство чипов по 2-нм технологии со структурой транзисторов GAA (окружающий затвор) третьего поколения.