Samsung призналась, что её чипы dram 10-нм классавыпускаются по техпроцессам выше 14 нм

Среди пользователей принято иронизировать над целой чередой плюсов при обозначении 14-нм техпроцессов Intel. Но отказ производителей памяти указывать техпроцессы для чипов DRAM представляется более масштабной жертвой маркетинговых войн. Производители памяти одиннадцать лет скрывают точные цифры техпроцессов выпуска памяти, но правда иногда всплывает и она шокирует.

Впервые о переходе на классы при обозначении техпроцесса производства памяти мы услышали в апреле 2010 года. Тогда компания Samsung ввела понятие 20-нм класса, заявив об этом в связи с анонсом новой памяти NAND. Произошло это, по всей видимости, по той причине, что техпроцесс Samsung стал отставать от конкурентов. Вскоре за Samsung последовали остальные производители, и мы только и слышали, что о поколениях памяти 20-нм и, позже, 10-нм классов.

Память класса 10-нм выпускается с 2013 года. Какая это память 19-нм, 17-нм или меньше можно было узнать только из неофициальных источников. По слухам, дальше всех вниз по лестнице технологических норм продвинулась компания Micron. Она якобы смогла наладить на Тайване то ли 14-нм производство DRAM, то ли 13-нм. Более того, в январе этого года Micron как громом поразила отрасль, заявив, что начала опытное производство чипов памяти с нормами в нижней части 10-нм техпроцесса. Это означало, что компания первой начала выпускать DRAM с нормами 13 нм или менее.

Подобное заявление стало вызовом лидеру рынка DRAM компании Samsung, и её представители не смогли долго молчать. На днях на квартальной конференции один из старших руководителей Samsung признался, что память DRAM с нормами 14 нм под кодовым названием D1a компания начнёт выпускать позже в текущем году (скорее всего во второй половине года). Это признание стало первым за 11 лет, что само по себе подчёркивает напряжённость конкурентной борьбы на рынке DRAM.

По мнению аналитиков, Samsung важно было дать понять инвесторам, что она несильно отстаёт от компании Micron по технологичности производства чипов DRAM. Более того, по ряду вещей она серьёзно опережает Micron. Например, Micron для производства DRAM всё ещё использует 193-нм сканеры, тогда как Samsung память поколения D1a будет выпускать преимущественно с использованием 13,5-нм сканеров EUV. Но факт остаётся фактом: в 10-нм классе продуктов DRAM компании Samsung центр тяжести был на дальнем конце шкалы.