Samsung представила первый в мире модуль памяти ddr5-7200 объёмом 512 гбайт


  • Источник: 3dnews.ru 
  • Дата: Авг 23, 2021 
  • Просмотры: 40

На мероприятии Hot Chips 33 компания Samsung сообщила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт. По словам южнокорейского производителя, новинка предлагает значительно более высокую производительность и скорость, а также вдвое больший объём по сравнению с памятью DDR4.

samsung-predstavila-pervyi-v-mire-modul-pamiati-ddr57200-obemom-512-gbait_1.jpg

Источник изображений: Samsung

При производстве модуля DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт Samsung использовала восьмислойный стэк кристаллов DDR5, объединённых с помощью технологии 3D TSV (through-silicon via), характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке.

samsung-predstavila-pervyi-v-mire-modul-pamiati-ddr57200-obemom-512-gbait_2.jpg

Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм у DDR4. Используя новые технологии наложения слоёв компания смогла до 40 % сократить промежуток между кристаллами памяти, что и снизило высоту всего стэка.

samsung-predstavila-pervyi-v-mire-modul-pamiati-ddr57200-obemom-512-gbait_3.jpg

В ходе презентации Samsung также сообщила, что применила при производстве модуля памяти DDR5-7200 технологию Same Bank Refresh. Её особенность в том, что пока одни банки памяти могут выполнять обновление, другие банки могут быть заняты какими-либо другими операциями. Кроме того, производитель отменил увеличение на 10 % производительности шины памяти и сообщил о поддержке дополнительных схем Decision Feedback Equalization (DFE), улучшающих качество сигналов они снижают отражённые шумы в каналах памяти на высоких частотах, что довольно важно при использовании большого числа DIMM и каналов DDR5.

samsung-predstavila-pervyi-v-mire-modul-pamiati-ddr57200-obemom-512-gbait_4.jpg

Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение 1,2 В. Повышение энергоэффективности памяти стало возможным за счёт использования на плате интегральных схем управления питанием (PMIC), стабилизатора напряжения, а также технологии затворов High-K Metal. Также отмечается, что память DDR5 поддерживает технологию коррекции ошибок On-Die Error Correction Code (ODECC).

samsung-predstavila-pervyi-v-mire-modul-pamiati-ddr57200-obemom-512-gbait_5.jpg

Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом до 64 Гбайт на планку. Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года. Производитель считает, что массовый переход на новый стандарт ОЗУ случится не ранее 20232024 годов.