- Мар 22, 2022
Инсайдер YuuKi_AnS поделился информацией о производительности инженерного образца серверного 48-ядерного и 96-поточного процессора Intel Xeon Scalable 4-го поколения c показателем TDP 270 Вт. Эта серия процессоров, известная также под именем Sapphire Rapids, будет предназначаться для платформы Intel Eagle Stream (LGA 4677).
По данным информатора, чип имеет диапазон рабочих частот от 2,3 до 3,3 ГГц, оснащён 90 Мбайт кеш-памяти L3 и не имеет встроенной HBM-памяти. Это не флагманское решение будущей серии процессоров Sapphire Rapids. Им станет 56-ядерная и 112-поточная модель, которой прогнозируют показатель энергопотребления в 350 Вт.
Конфигурация из двух инженерных образцов 48-ядерных Xeon Scalable 4-го поколенияпрошла проверку быстродействия кеш-памяти и ОЗУ в синтетическом бенчмарке AIDA64. Её сравнили с системой на базе двух серверных флагманских 64-ядерных и 128-поточных процессоров AMD EPYC 7773X (Milan-X) с технологией 3D V-Cache, а также системой на базе двух 40-ядерных Intel Xeon Platinum 8380 поколения Ice Lake-SP. Информатор не предоставил данных о конфигурации памяти, однако напомним, что платформа изначально поддерживает память стандарта DDR5-4800.
Вполне ожидаемо, что лидером по пропускной способности оперативной памяти оказалась новая платформа Intel с 8-канальной DDR5. Скорость чтения ОЗУ достигла 515 Гбайт/с, записи 317 Гбайт/с, а задержка составила 106,4 нс. У финальных образцов Sapphire Rapids эти показатели вероятно окажутся ещё лучше.
В то же время система на базе AMD Milan-X оказалась значительно эффективнее по показателю быстродействия кеш-памяти L2 и L3, поскольку каждый чип оснащён 768 Мбайт буферной памяти 3D V-Cache.Ниже также приведены сравнительные результаты испытаний трёх платформ в бенчмарке Cinebench R15. Как видно, EPYC выигрывает по многопоточной производительности, но решения Intel быстрее в однопотоке.
В основе процессоров Sapphire Rapids лежит микроархитектура Golden Cove, знакомая по настольным и мобильным чипам Alder Lake. Для их выпуска будет использоваться технологический процесс Intel 7 (10-нм). Часть моделей будет оснащаться интегрированной памятью типа HBM.